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美光广岛工厂明年中启动扩建 全力提升HBM内存交付能力

牛魔王9个月前 (12-02)亚星科技趋势408

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在全球人工智能(AI)与高性能计算需求激增的背景下,高带宽内存(HBM)作为训练和运行大模型的核心硬件,其战略地位日益凸显,全球存储巨头美光科技(Micron)近日宣布,其位于日本广岛的工厂将于2024年年中正式启动扩建工程,目标是通过产能升级和技术迭代,全力提升HBM内存的交付能力,以满足市场对下一代存储解决方案的迫切需求。

扩建聚焦HBM产能,应对AI浪潮挑战

美光广岛工厂是其HBM产能布局的关键基地,此次扩建将重点扩大先进制程HBM的生产规模,并引入更尖端的制造设备,据了解,扩建后的工厂将进一步提升HBM3及下一代HBM3E的产量,同时为未来HBM4的研发与量产奠定基础,美光CEO桑杰·梅赫罗特拉(Sanjay Mehrotra)表示:“AI的爆发式增长正在重塑存储行业的需求格局,客户对高性能、高容量HBM的需求远超供给,通过加速广岛工厂的扩建,我们将缩短交付周期,支持客户在AI、数据中心和超级计算领域的创新。”

地缘与技术协同,强化日本存储产业地位

皇冠足球会员开户 此次扩建也得到日本政府的大力支持,作为日本“半导体战略”的核心项目之一,美光广岛工厂的扩产不仅有助于提升全球HBM供应链的稳定性,将进一步巩固日本在先进封装和存储芯片制造领域的领先地位,日本经济产业大臣西村康稔此前强调,吸引美光等企业加大投资,是日本实现芯片供应链自主可控、重振半导体产业的重要举措。

皇冠会员 HBM市场由韩国三星(Samsung)和SK海力士(SK Hynix)主导,但美光通过技术追赶和产能扩张正加速缩小差距,业内分析师指出,随着广岛工厂扩建后产能释放,美光有望在2025年前跻身HBM市场前三,打破现有双寡头格局。

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展望:从“产能竞赛”到“技术迭代”

除了扩产,美光还在HBM技术上持续突破,其最新一代HBM3E产品已实现12层堆叠和8.16Gbps的高速传输速率,并计划在2024年推出性能更优的HBM4,美光正与日本合作伙伴研发先进封装技术,进一步提升HBM的集成度和能效比。

皇冠網址登錄入口 可以预见,美光广岛工厂的扩建不仅是应对短期市场需求的举措,更是其在存储领域长期技术竞争的关键落子,随着AI、元宇宙等新兴应用的普及,HBM内存的市场规模预计将从2023年的130亿美元增长至2028年的300亿美元,美光通过“产能+技术”双轮驱动,正力争在这场存储革命中占据有利位置,为全球数字经济的高速发展提供核心动力。

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